【摘要】
隨著微電子行業(yè)的發(fā)展，傳統(tǒng)的電子封裝技術(shù)已經(jīng)不能完全滿足要求，因?yàn)檫@種封裝技術(shù)設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本高，同時限制了IC的性能和可靠性。硅片切割工藝的效果直接影響到芯片的性能和
隨著微電子行業(yè)的發(fā)展，傳統(tǒng)的電子封裝技術(shù)已經(jīng)不能完全滿足要求，因?yàn)檫@種封裝技術(shù)設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本高，同時限制了IC的性能和可靠性。硅片切割工藝的效果直接影響到芯片的性能和效益。
芯片的劃片方法與典型IC的劃片方法不同。常規(guī)的IC砂輪劃片是通過高速旋轉(zhuǎn)砂輪刀片，以完成對材料的切削，從而實(shí)現(xiàn)切削。因?yàn)榈镀母咚傩D(zhuǎn)，經(jīng)常需要用純水來冷卻和沖洗，所以刀片的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的壓力和扭力，純水的沖洗產(chǎn)生的沖擊力，以及碎屑和縫隙的污染，都很容易對MEMS芯片的機(jī)械微結(jié)結(jié)構(gòu)造成不可逆轉(zhuǎn)的破壞。因此一般IC砂輪劃片不適合MEMS晶片劃片。
激光切割技術(shù)就是在這種情況下出現(xiàn)的，它被廣泛地應(yīng)用于MEMS晶片，RFID晶片和Memory晶片。
作為激光切割晶圓的一種方案，激光切割很好地避免了砂輪切割中的問題。利用單脈沖脈沖激光進(jìn)行光學(xué)整形，使材料表面聚焦于材料內(nèi)部，從而在聚焦區(qū)域內(nèi)提高能量密度，從而形成多光子吸收的非線性吸收效應(yīng)，從而使材料改性產(chǎn)生裂紋。每個激光脈沖都等距作用，形成等距損傷就可以在材料中形成改質(zhì)層。改變層中材料的分子鍵被破壞，材料之間的連接變得脆弱且容易分離。切削完畢后通過拉伸承載膜的方式，使產(chǎn)品完全分離，并使芯片和芯片之間產(chǎn)生間隙。這種處理方式避免了由機(jī)械直接接觸和純水沖刷造成的損壞。
萊塞激光切割技術(shù)可以用于藍(lán)寶石/玻璃/硅和許多半導(dǎo)體晶片等化合物。
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